Efectos Térmicos en Estructuras MOS Poligonales bajo Condiciones de Quemado por Evento Único

Abstract

El Quemado por Evento Único (SEB, Single Event Burnout) es un proceso provocado por la interacción de un ion pesado con algunos dispositivos semiconductores tales como transistores de potencia DMOS. En un SEB, la interacción ion-dispositivo produce una fuerte concentración de corriente en una pequeña región del dispositivo. Esto provoca un aumento muy rápido de la temperatura por efecto Joule, que puede conducir a la fusión de alguna capa del transistor. Simular la evolución temporal del campo de temperaturas interna del dispositivo es importante para la implementación de estrategias de mitigación. En este trabajo, se adopta una topología de celda cuadrada, que dificulta la extrapolación de resultados previos. Las simulaciones muestran que la capa crítica que alcanza el punto de fusión depende de la densidad de potencia. Estos resultados difieren de los presentados previamente y confirman la influencia de la geometría del dispositivo en el análisis de los efectos provocados por el SEB.